DMN63D1LDW-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN63D1LDW-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN63D1LDW-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 250mA 310mW Surface Mount SOT-363

Αποθέμα:

12882513
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN63D1LDW-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
250mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.3nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
30pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
310mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN63

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN66D0LDW-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2890
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN66D0LDW-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.17
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMN3013LDG-13

MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333

nexperia

PMGD290UCEAX

MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP

diodes

DMN601VKQ-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563

diodes

DMG4822SSD-13

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO