Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN62D1SFB-7B
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN62D1SFB-7B-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 410mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Αποθέμα:
138731 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12887266
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN62D1SFB-7B Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
410mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 40mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
80 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
470mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
X1-DFN1006-3
Συσκευασία / Θήκη
3-UFDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN62
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
-DMN62D1SFB-7BDITR
DMN62D1SFB-7BDIDKR
DMN62D1SFB-7BDICT
DMN62D1SFB-7BDI-DG
-DMN62D1SFB-7BDIDKR
-DMN62D1SFB-7BDICT
DMN62D1SFB-7BDITR
DMN62D1SFB-7BDI
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NX7002BKMYL
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
91465
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NX7002BKMYL-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.03
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ZVP2106GTC
MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223
ZVN2110GTC
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
ZXMP6A17E6TA
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
