DMN62D0UWQ-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN62D0UWQ-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN62D0UWQ-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 340mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-323

Αποθέμα:

1453 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12898196
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN62D0UWQ-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
340mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
32 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
320mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-323
Συσκευασία / Θήκη
SC-70, SOT-323
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN62

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN62D0UWQ-7DI
DMN62D0UWQ-7DI-DG
31-DMN62D0UWQ-7CT
31-DMN62D0UWQ-7DKR
31-DMN62D0UWQ-7TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN62D0UW-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
58905
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN62D0UW-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.03
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN62D0UW-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
10000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN62D0UW-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.03
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN62D0UWQ-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
27160
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN62D0UWQ-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.05
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
taiwan-semiconductor

TSM110NB04LCR RLG

MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM4N90CZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 900V 4A TO220

taiwan-semiconductor

TSM038N03PQ33 RGG

MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM3N80CZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220