Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN62D0SFD-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN62D0SFD-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 540mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Αποθέμα:
19612 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12949608
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN62D0SFD-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
540mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.87 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
30.2 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
430mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
X1-DFN1212-3
Συσκευασία / Θήκη
3-UDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN62
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN62D0SFD-7DICT
DMN62D0SFD-7DITR
DMN62D0SFD-7DIDKR
DMN62D0SFD7
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ZVNL110ASTOA
MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
BSS84TC
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
DMP3056LVT-13
MOSFET P-CH 30V 4.3A TSOT-26
