Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN62D0LFD-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN62D0LFD-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH X1-DFN1212-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 310mA (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Αποθέμα:
12888822
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN62D0LFD-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
310mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
31 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
480mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
X1-DFN1212-3
Συσκευασία / Θήκη
3-UDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN62
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN62D0LFD-13DI
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN62D1LFD-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
25148
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN62D1LFD-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.05
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN62D0LFD-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
96932
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN62D0LFD-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.03
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMN6013LFG-7
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
DMP3018SFK-13
MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN
DMPH4029LFG-7
MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
