DMN61D9UW-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN61D9UW-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN61D9UW-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 340mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-323

Αποθέμα:

12892246
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
GVea
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN61D9UW-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
340mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
28.5 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
320mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-323
Συσκευασία / Θήκη
SC-70, SOT-323
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN61

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN61D9UW-7DIDKR
DMN61D9UW-7DICT
DMN61D9UW-7DITR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSS138BKW,115
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
265937
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSS138BKW,115-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.04
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
taiwan-semiconductor

TSM301K12CQ RFG

MOSFET P-CH 20V 4.5A 6TDFN

taiwan-semiconductor

TSM033NA03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM22P10CZ C0G

MOSFET P-CH 100V 22A TO220

taiwan-semiconductor

TSM4N60ECP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252