Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN61D8LVTQ-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN61D8LVTQ-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
Αποθέμα:
9565 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12888579
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN61D8LVTQ-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
630mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.74nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
12.9pF @ 12V
Ισχύς - Μέγιστη
820mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSOT-26
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN61
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN61D8LVTQ-7DIDKR
DMN61D8LVTQ-7DITR
DMN61D8LVTQ-7DICT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMN3022LDG-13
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A PWRDI3333
DMN16M0UCA6-7
MOSFET 2N-CH 12V 17A X4-DSN2112
DMN2025UFDB-13
MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
