DMN61D8LVT-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN61D8LVT-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN61D8LVT-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26

Αποθέμα:

9150 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12901235
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN61D8LVT-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
630mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.74nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
12.9pF @ 12V
Ισχύς - Μέγιστη
820mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSOT-26
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN61

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
DMN61D8LVT-13DICT
DMN61D8LVT-13DITR-DG
DMN61D8LVT-13DITR
31-DMN61D8LVT-13DKR
DMN61D8LVT-13DIDKR-DG
31-DMN61D8LVT-13TR
DMN61D8LVT-13DICT-DG
DMN61D8LVT-13DIDKR
31-DMN61D8LVT-13CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
fairchild-semiconductor

HUFA76504DK8T

MOSFET 2N-CH 80V 8SOIC

diodes

DMT3022UEV-7

MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333

diodes

BSS8402DWQ-7

MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363

diodes

DMG1016UDW-7

MOSFET N/P-CH 20V SOT363