DMN61D8L-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN61D8L-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN61D8L-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 470mA (Ta) 390mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Αποθέμα:

82150 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12898724
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN61D8L-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
470mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.74 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
12.9 pF @ 12 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
390mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN61

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN61D8L-7DICT
DMN61D8L-7DIDKR
DMN61D8L-7DITR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
taiwan-semiconductor

TSM2305CX RFG

MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23

taiwan-semiconductor

TSM60NB600CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO251

diodes

BS107PSTOA

MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE

taiwan-semiconductor

TSM60NB260CI C0G

MOSFET N-CH 600V 13A ITO220AB