DMN60H3D5SK3-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN60H3D5SK3-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN60H3D5SK3-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 2.8A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Αποθέμα:

12901270
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN60H3D5SK3-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12.6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
354 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
41W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252 (DPAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN60

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMN2004WK-7

MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

diodes

DMN3009LFV-7

MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

diodes

BS170PSTOB

MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE

diodes

DMTH6016LFVW-7

MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333