DMN4800LSS-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN4800LSS-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN4800LSS-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SO

Αποθέμα:

22578 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12882581
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN4800LSS-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.6V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.47 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
798 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.46W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN4800

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
DMN4800LSSDIDKR
DMN4800LSSDITR
DMN4800LSS13
DMN4800LSSDICT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMTH3004LFG-13

MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333

diodes

DMP3085LSS-13

MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO

diodes

DMT10H009LPS-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

diodes

DMP4010SK3-13

MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO252