DMN33D8LTQ-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN33D8LTQ-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN33D8LTQ-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 115mA (Ta) 240mW (Ta) Surface Mount SOT-523

Αποθέμα:

1800 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12888517
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN33D8LTQ-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
115mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 100µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.55 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
48 pF @ 5 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
240mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-523
Συσκευασία / Θήκη
SOT-523
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN33

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN33D8LTQ-7DI
31-DMN33D8LTQ-7DKR
31-DMN33D8LTQ-7TR
DMN33D8LTQ-7DI-DG
31-DMN33D8LTQ-7CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN33D8LT-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4475
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN33D8LT-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.03
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PJE138K-AU_R1_000A1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Panjit International Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
35112
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PJE138K-AU_R1_000A1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.08
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN33D8LTQ-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN33D8LTQ-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.05
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN33D8LT-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2504
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN33D8LT-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.03
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMG3N60SCT

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

diodes

DMP3017SFGQ-13

MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333

diodes

DMT69M8LFV-7

MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

diodes

BSS138K-7

MOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 3K