Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN33D8LDW-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN33D8LDW-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 250mA 350mW Surface Mount SOT-363
Αποθέμα:
12888357
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN33D8LDW-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
250mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 100µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.23nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
48pF @ 5V
Ισχύς - Μέγιστη
350mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN33
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMN65D8LDWQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
DMP32D9UDA-7B
MOSFET 2P-CH 0.22A 6DFN
DMN53D0LDW-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
