Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN32D2LFB4-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN32D2LFB4-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Αποθέμα:
174069 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12888648
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN32D2LFB4-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
300mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.2V @ 250µA
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
39 pF @ 3 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
350mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
X2-DFN1006-3
Συσκευασία / Θήκη
3-XFDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN32
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN32D2LFB4DITR
DMN32D2LFB4DICT
DMN32D2LFB4DIDKR
DMN32D2LFB47
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMN62D0UW-13
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
DMP3010LK3-13
MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3
DMN3029LFG-7
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
