Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN3200U-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN3200U-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 2.2A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Αποθέμα:
99540 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12888722
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN3200U-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
290 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
650mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN3200
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
-DMN3200U-7DIDKR
DMN3200U-7DIDKR
-DMN3200U-7DICT
DMN3200U-7DITR
DMN3200U-7-DG
-DMN3200U-7DITR
DMN3200U-7DICT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMP3028LK3Q-13
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252
DMTH4008LFDFW-13
MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
DMN7022LFG-13
MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
