Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN30H4D0LFDE-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN30H4D0LFDE-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 300 V 550mA (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Αποθέμα:
12899552
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN30H4D0LFDE-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
300 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
550mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.8V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7.6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
187.3 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
630mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
U-DFN2020-6 (Type E)
Συσκευασία / Θήκη
6-PowerUDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN30
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
31-DMN30H4D0LFDE-13CT
DMN30H4D0LFDE-13DI-DG
31-DMN30H4D0LFDE-13DKR
DMN30H4D0LFDE-13DI
31-DMN30H4D0LFDE-13TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMN2450UFD-7
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
TSM650P02CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
TSM600P03CS RLG
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP
