DMN30H4D0L-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN30H4D0L-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN30H4D0L-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 300 V 250mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Αποθέμα:

20142 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12891839
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN30H4D0L-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
300 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7.6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
187.3 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
310mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN30

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN30H4D0L-7DITR
DMN30H4D0L-7DICT
DMN30H4D0L-7DIDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
taiwan-semiconductor

TSM60NB150CF C0G

MOSFET N-CH 600V 24A ITO220S

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K15AMFV,L3F

MOSFET N-CH 30V 100MA VESM

diodes

DMN3010LSS-13

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

diodes

DMG4N60SJ3

MOSFET N-CH 600V 3A TO251