DMN3069L-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN3069L-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN3069L-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 5.3A (Ta) 800mW Surface Mount SOT-23-3

Αποθέμα:

13000243
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN3069L-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.8V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.1 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
309 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
800mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN3069

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
31-DMN3069L-13TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN3069L-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN3069L-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.05
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
taiwan-semiconductor

TSM4806CS

20V, 28A, SINGLE N-CHANNEL POWER

goford-semiconductor

G65P06K

P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3.

goford-semiconductor

G1002L

N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2

vishay-siliconix

SI2316BDS-T1-BE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET