DMN3018SFG-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN3018SFG-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN3018SFG-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 8.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Αποθέμα:

14765 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12894895
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN3018SFG-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
21mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
697 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI3333-8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN3018

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
-DMN3018SFG-13DIDKR
DMN3018SFG-13DICT
DMN3018SFG-13DITR
-DMN3018SFG-13DICT
DMN3018SFG-13DIDKR
-DMN3018SFG-13DITR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMP2240UW-7

MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT323

taiwan-semiconductor

TSM1NB60CW RPG

MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223

diodes

DMT6005LPS-13

MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

diodes

DMP2088LCP3-7

MOSFET P-CH 20V 2.9A X2DSN1006-3