DMN3015LSD-13

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN3015LSD-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN3015LSD-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Λεπτομερής Περιγραφή:

Mosfet Array 30V 8.4A (Ta) 1.2W Surface Mount 8-SO

Αποθέμα:

5165 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12884408

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN3015LSD-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET

Κατασκευαστής

Diodes Incorporated

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Διαμόρφωση

2 N-Channel (Dual)

Δυνατότητα FET

-

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

30V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

8.4A (Ta)

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

15mOhm @ 12A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

2.5V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

25.1nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

1415pF @ 15V

Ισχύς - Μέγιστη

1.2W

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Συσκευασία / Θήκη

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-SO

Βασικός αριθμός προϊόντος

DMN3015

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

DMN3015LSD-13-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

2,500

Άλλα ονόματα

DMN3015LSD-13DICT

DMN3015LSD-13DITR

DMN3015LSD-13DIDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

diodes

DMC1028UFDB-7

MOSFET N/P-CH 12V 6A/3.4A 6UDFN

diodes

2N7002DW-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

diodes

DMC1229UFDB-13

MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN

diodes

DMC1029UFDB-7

MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN