Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN3012LEG-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN3012LEG-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 10A (Ta), 20A (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type D)
Αποθέμα:
12950317
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN3012LEG-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
2.2W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerLDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI3333-8 (Type D)
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN3012
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMN3012LEG-13TR
DMN3012LEG-13DI
31-DMN3012LEG-13DKR
31-DMN3012LEG-13CT
DMN3012LEG-13DI-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BUK9V13-40HX
MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
PSMN013-40VLDX
MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
PSMN4R2-40VSHX
MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D
