DMN3009LFVW-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN3009LFVW-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN3009LFVW-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Αποθέμα:

12890507
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN3009LFVW-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
60A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2000 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount, Wettable Flank
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN3009

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN3009LFVW-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
8765
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN3009LFVW-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.17
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSZ0589NSATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4792
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSZ0589NSATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.36
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFH8325TRPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3667
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFH8325TRPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.19
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN3009LFVWQ-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN3009LFVWQ-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.32
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

TK20S04K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 40V 20A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TPC8109(TE12L)

MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCP8103-H(TE85LFM

MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K208FE,LF

MOSFET N-CH 30V 1.9A ES6