DMN2990UFA-7B
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN2990UFA-7B

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN2990UFA-7B-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 510mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3

Αποθέμα:

13480 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12888660
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN2990UFA-7B Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
510mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
27.6 pF @ 16 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
400mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
X2-DFN0806-3
Συσκευασία / Θήκη
3-XFDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN2990

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
DMN2990UFA-7BDICT
DMN2990UFA-7BDIDKR
DMN2990UFA7B
DMN2990UFA-7BDITR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMT47M2SFVWQ-13

MOSFET N-CH 40V PWRDI3333

diodes

DMN5L06WKQ-7

MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323

diodes

DMP3036SSS-13

MOSFET P-CH 30V 19.5A 8SO

diodes

DMP4015SPSQ-13

MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8