DMN2310UFD-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN2310UFD-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN2310UFD-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 1.7A (Ta) 670mW (Ta) Surface Mount U-DFN1212-3 (Type C)

Αποθέμα:

13000987
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN2310UFD-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
240mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
950mV @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
38 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
670mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
U-DFN1212-3 (Type C)
Συσκευασία / Θήκη
3-PowerUDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN2310

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMN2310UFD-7TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
panjit

PJMB130N65EC_R2_00601

650V/ 130MOHM / 29A/ EASY TO DRI

panjit

PJMB390N65EC_R2_00601

650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI

rohm-semi

SCT4026DW7HRTL

750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

nexperia

PMPB07R3ENAX

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE