Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN2300UFB4-7B
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN2300UFB4-7B-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Αποθέμα:
452312 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12884199
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN2300UFB4-7B Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
175mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
950mV @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
64.3 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
X2-DFN1006-3
Συσκευασία / Θήκη
3-XFDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN2300
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
DMN2300UFB4-7BDIDKR
DMN2300UFB47B
DMN2300UFB4-7BDICT
DMN2300UFB4-7BDITR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMN3025LFDF-13
MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
DMG3414U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
DMT4008LSS-13
MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SO
