Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN2250UFB-7B
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN2250UFB-7B-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 1.35A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Αποθέμα:
6000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12887352
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN2250UFB-7B Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.35A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
170mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3.1 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
94 pF @ 16 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
X1-DFN1006-3
Συσκευασία / Θήκη
3-UFDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN2250
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
DMN2250UFB-7B-DG
31-DMN2250UFB-7BTR
DMN2250UFB-7BDIDKR
DMN2250UFB-7BDICT
31-DMN2250UFB-7BDKR
31-DMN2250UFB-7BCT
DMN2250UFB-7BDITR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMZ130UNEYL
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
24707
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMZ130UNEYL-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.05
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ZVN4306ASTOB
MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE
ZXM64N03XTC
MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP
DMN2004WKQ-7
MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
