DMN21D2UFB-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN21D2UFB-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN21D2UFB-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 760mA (Ta) 380mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3

Αποθέμα:

12978564
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN21D2UFB-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
760mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.93 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
27.6 pF @ 16 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
380mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
X1-DFN1006-3
Συσκευασία / Θήκη
3-UFDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN21

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMN21D2UFB-7TR
31-DMN21D2UFB-7DKR
31-DMN21D2UFB-7CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN21D2UFB-7B
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
54090
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN21D2UFB-7B-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.05
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMTH4014SPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

diodes

DMTH4M70SPGWQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808

diodes

DMN2710UWQ-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R

diodes

2N7002EQ-13-F

2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K