Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN2029USD-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN2029USD-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 5.8A 1.2W Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
10847 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12887629
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN2029USD-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.8A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18.6nC @ 8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1171pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1.2W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN2029
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
DMN2029USD-13DITR
DMN2029USD-13DICT
DMN2029USD-13DIDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMTH6016LSDQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
DMC2041UFDB-13
MOSFET N/P-CH 20V 4.7A 6UDFN
DMC2041UFDB-7
MOSFET N/P-CH 20V 4.7A 6UDFN
