DMN2013UFX-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN2013UFX-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN2013UFX-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 10A (Ta) 2.14W Surface Mount W-DFN5020-6

Αποθέμα:

12891987
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN2013UFX-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
57.4nC @ 8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2607pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
2.14W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-VFDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
W-DFN5020-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN2013

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN2013UFX-7DITR
DMN2013UFX-7DIDKR
DMN2013UFX-7DICT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMG6301UDW-7

MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

diodes

DMC21D1UDA-7B

MOSFET N/P-CH 20V 0.455A 6DFN

diodes

DMN2004DWK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363

diodes

DMNH6065SPDW-13

MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50