Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN2005UFG-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN2005UFG-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 18.1A (Tc) 1.05W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Αποθέμα:
5446 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12888635
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN2005UFG-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
18.1A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6495 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.05W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI3333-8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN2005
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
DMN2005UFG-7DICT
DMN2005UFG-7DIDKR
DMN2005UFG-7DITR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMP2067LVT-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
DMG4407SSS-13
MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
DMN3053L-13
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23