Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN10H170SFDE-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN10H170SFDE-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Αποθέμα:
2853 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12949420
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN10H170SFDE-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
160mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1167 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
660mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
U-DFN2020-6 (Type E)
Συσκευασία / Θήκη
6-PowerUDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN10
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN10H170SFDE-7DICT
31-DMN10H170SFDE-7CT
31-DMN10H170SFDE-7DKR
31-DMN10H170SFDE-7TR
DMN10H170SFDE-7DIDKR
DMN10H170SFDE-7DITR
DMN10H170SFDE-7DI-DG
DMN10H170SFDE-7DI
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMNH4005SCT
MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
DMP3028LPSQ-13
MOSFET P-CH 30V 21A PWRDI5060-8
DMT6012LFDF-7
MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
