DMN1019USN-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN1019USN-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN1019USN-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 12 V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59-3

Αποθέμα:

14938 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12887921
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN1019USN-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9.3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 2.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
800mV @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
50.6 nC @ 8 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2426 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
680mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-59-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN1019

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
DMN1019USN-13DITR
DMN1019USN-13DIDKR
DMN1019USN-13DICT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMN2025U-7

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3

diodes

BS170PSTOA

MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE

diodes

DMT3009LFVWQ-7

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333

diodes

DMN3016LSS-13

MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO