DMN1017UCP3-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN1017UCP3-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN1017UCP3-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 12 V 7.5A (Ta) 1.47W Surface Mount X3-DSN1010-3

Αποθέμα:

3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12890278
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN1017UCP3-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 3.3V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 5A, 3.3V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
16 nC @ 3.3 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1503 pF @ 6 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.47W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
X3-DSN1010-3
Συσκευασία / Θήκη
3-XDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN1017

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMN1017UCP3-7DKR
31-DMN1017UCP3-7CT
31-DMN1017UCP3-7TR
DMN1017UCP3-7-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

TK30E06N1,S1X

MOSFET N-CH 60V 43A TO220

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN2R304PL,L1Q

MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TPC8036-H(TE12L,QM

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCF8B01(TE85L,F,M

MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8