DMN1004UFV-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN1004UFV-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN1004UFV-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 12 V 70A (Tc) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)

Αποθέμα:

69382 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12891364
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN1004UFV-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
70A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
47 nC @ 8 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2385 pF @ 6 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.9W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI3333-8 (Type UX)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN1004

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
DMN1004UFV-7DICT
DMN1004UFV-7-DG
DMN1004UFV-7DIDKR
DMN1004UFV-7DITR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

TPH5200FNH,L1Q

MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ15P04M3,RQ(S

MOSFET P-CH 40V 15A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TK39A60W,S4VX

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS

diodes

DMN67D8LT-7

MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R