DMN1004UFDF-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN1004UFDF-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN1004UFDF-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 12 V 15A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6

Αποθέμα:

1880 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12949756
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN1004UFDF-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
15A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2385 pF @ 6 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
U-DFN2020-6
Συσκευασία / Θήκη
6-UDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN1004

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMN1004UFDF-7DKR
DMN1004UFDF-7-DG
31-DMN1004UFDF-7TR
31-DMN1004UFDF-7CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
taiwan-semiconductor

TSM10NC60CF C0G

MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S

diodes

DMTH10H015LK3-13

MOSFET N-CH 100V 52.5A TO252

toshiba-semiconductor-and-storage

TK40E10K3,S1X(S

MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3

diodes

DMNH6012LK3-13

MOSFET N-CH 60V 60A TO252