DMJ70H1D5SV3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMJ70H1D5SV3

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMJ70H1D5SV3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 700 V 5A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH3)

Αποθέμα:

12882456
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMJ70H1D5SV3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
700 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
316 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
78W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-251 (Type TH3)
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMJ70

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
75

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

IRF9Z14S

MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

diodes

DMT3006LPS-13

MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI5060

diodes

DMN3023L-7

MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

diodes

DMT10H025LK3-13

MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R