Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMG9N65CTI
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMG9N65CTI-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 9A ITO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 13W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Αποθέμα:
12887780
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMG9N65CTI Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2310 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
13W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ITO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMG9
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
DMG9N65CTIDI
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STF7N65M2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
72
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STF7N65M2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.59
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMG3401LSN-7
MOSFET P-CH 30V 3A SC59
DMN10H170SVTQ-13
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
DMTH62M8LPS-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
