Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMG8822UTS-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMG8822UTS-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 4.9A (Ta) 870mW Surface Mount 8-TSSOP
Αποθέμα:
12883298
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMG8822UTS-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
900mV @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.6nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
841pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
870mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-TSSOP
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMG8822
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
DMG8822UTS-13DIDKR
DMG8822UTS13
DMG8822UTS-13DITR
DMG8822UTS-13DICT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SI6926ADQ-T1-GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
12271
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SI6926ADQ-T1-GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.32
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMC3400SDW-7
MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363
DMN6070SSD-13
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
DMC1016UPD-13
MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50
