DMG7N65SCT
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMG7N65SCT

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMG7N65SCT-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 7.7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)

Αποθέμα:

12883977
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMG7N65SCT Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
Automotive, AEC-Q101
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
886 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB (Type TH)
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMG7N65

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFP7N80PM
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFP7N80PM-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
4.60
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFP7N80P
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
299
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFP7N80P-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.31
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMN7022LFGQ-13

MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

diodes

DMN4008LFG-13

MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333

diodes

DMN3071LFR4-7R

MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN

diodes

DMN2500UFB4-7

MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN