Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMG5802LFX-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMG5802LFX-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 24V 6.5A 980mW Surface Mount W-DFN5020-6
Αποθέμα:
2929 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12884222
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMG5802LFX-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
24V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
31.3nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1066.4pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
980mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-VFDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
W-DFN5020-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMG5802
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMG5802LFX-7DITR-DG
DMG5802LFX-7DICT
DMG5802LFX-7DICT-DG
DMG5802LFX7
DMG5802LFX-7DITR
DMG5802LFX-7DIDKR
DMG5802LFX-7DIDKR-DG
31-DMG5802LFX-7CT
31-DMG5802LFX-7TR
31-DMG5802LFX-7DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMNH6042SSD-13
MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SO
DMC25D0UVT-13
MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT23
DMP4025LSD-13
MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
