Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMG4800LSD-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMG4800LSD-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 7.5A 1.17W Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
15950 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12882367
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMG4800LSD-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.6V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.56nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
798pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1.17W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMG4800
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
DMG4800LSD-13DIDKR
DMG4800LSD13
DMG4800LSD-13DITR
DMG4800LSD-13DICT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
2N7002VAC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
DMT3022UEV-13
MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333
DMP2200UDW-7
MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363