Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMG3415UFY4Q-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMG3415UFY4Q-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 16 V 2.5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2015-3
Αποθέμα:
53259 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12890531
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMG3415UFY4Q-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
16 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
39mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
282 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
650mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
X2-DFN2015-3
Συσκευασία / Θήκη
3-XDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMG3415
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMG3415UFY4Q-7DIDKR
DMG3415UFY4Q-7DICT
DMG3415UFY4Q-7DITR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TPN2R503NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
TPCP8001-H(TE85LFM
MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8
TPCA8008-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 250V 4A 8SOP
