Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMG1012T-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMG1012T-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 630mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Αποθέμα:
435659 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12884464
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
ql4V
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMG1012T-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
630mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.74 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±6V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
60.67 pF @ 16 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
280mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-523
Συσκευασία / Θήκη
SOT-523
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMG1012
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMG1012T-7DITR
DMG1012T-7DICT
DMG1012T-7-DG
DMG1012T7
Q4768583
DMG1012T-7DIDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMG2301LK-13
MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
DMTH4007LK3-13
MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252
DMN3005LK3-13
MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3
