BS170P
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

BS170P

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

BS170P-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole TO-92

Αποθέμα:

12883022
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

BS170P Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
270mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
60 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
625mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-92
Συσκευασία / Θήκη
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Βασικός αριθμός προϊόντος
BS170

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
BS170P-NDR
Q2995972

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
VN10KN3-G-P002
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Microchip Technology
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2970
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
VN10KN3-G-P002-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.50
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
VN0808L-G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Microchip Technology
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
579
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
VN0808L-G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.03
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMP4025SFG-7

MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333

diodes

DMP1022UFDE-7

MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN

diodes

DMN90H8D5HCTI

MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

diodes

DMG7401SFGQ-13

MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8