Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BS107PSTZ
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BS107PSTZ-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Αποθέμα:
1991 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12897444
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BS107PSTZ Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.6V, 5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
85 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
E-Line (TO-92 compatible)
Συσκευασία / Θήκη
E-Line-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
BS107
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
BS107PSTZ-DG
BS107PSTZDICT
BS107PSTZDITR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TSM040N03CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
TSM60N600CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO252
TSM170N06PQ56 RLG
MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
