BC856B-7-F
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

BC856B-7-F

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

BC856B-7-F-DG

Περιγραφή:

TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 65 V 100 mA 200MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3

Αποθέμα:

155840 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12890225
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

BC856B-7-F Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Μονοπολικοί Διπόλοι Τρανζίστορ
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
PNP
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100 mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
65 V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
15nA
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
220 @ 2mA, 5V
Ισχύς - Μέγιστη
300 mW
Συχνότητα - Μετάβαση
200MHz
Θερμοκρασία λειτουργίας
-65°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
BC856

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
BC856B-7-FDIDKR-DG
BC856B-7-FDITR
BC856B-7-FDICT
BC856B-7FDICT
BC856B-7-FDITR-DG
BC856B-7-FDIDKR
BC856B-7-FDICT-DG
BC856B-7-F-DG
BC856B-7FDIDKR
BC856B7F
BC856B-7FDITR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

2SC4793,WNLF(J

TRANS NPN 230V 1A TO220NIS

diodes

FZT49A3TA

TRANS NPN 100V 1A SOT223-3

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC2235-O(T6FJT,FM

TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC3668-Y,T2WNLF(J

TRANS NPN 50V 2A MSTM