2N7002-7-F
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

2N7002-7-F

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

2N7002-7-F-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Αποθέμα:

542836 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12882636
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

2N7002-7-F Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
115mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
370mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
2N7002

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
2N7002-7-F
Φύλλα δεδομένων
2N7002 Datasheet
HTML Δελτίο δεδομένων
2N7002-7-F-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
2N70027F
2N7002-FDITR
2N7002-FDICT
2N7002-FDIDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

IRFBE30STRLPBF

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

vishay-siliconix

IRFBC40L

MOSFET N-CH 600V 6.2A I2PAK

diodes

DMT10H015LSS-13

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO

diodes

DMN3051LDM-7

MOSFET N-CH 30V 4A SOT26