CC-CN-23-0123
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

CC-CN-23-0123

Product Overview

Κατασκευαστής:

CoolCAD

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

CC-CN-23-0123-DG

Περιγραφή:

SiC MOSFET 20A 1200V TO-247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
20A (Ta) Through Hole TO-247-3

Αποθέμα:

30 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12995126
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

CC-CN-23-0123 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
20A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
85mOhm @ 10A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.4V @ 5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
810 pF @ 200 V
Δυνατότητα FET
Standard
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
5
Άλλα ονόματα
3892-CC-CN-23-0123

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

XPQR3004PB,LXHQ

40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHM

vishay-siliconix

SIDR104AEP-T1-RE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE