Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
CC-C2-B15-0322
Product Overview
Κατασκευαστής:
CoolCAD
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
CC-C2-B15-0322-DG
Περιγραφή:
SiC Power MOSFET 1200V 12A
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 12A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-247
Αποθέμα:
30 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13373452
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
CC-C2-B15-0322 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Συσκευασία
Bulk
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
135mOhm @ 10A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.2V @ 5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
40 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
+15V, -5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1810 pF @ 200 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
100W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-4
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5
Άλλα ονόματα
3892-CC-C2-B15-0322
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIRS4302DP-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
TSM60NB380CH
600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
TSM60NB1R4CH
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER