Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BSS138
Product Overview
Κατασκευαστής:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BSS138-DG
Περιγραφή:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 50 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Αποθέμα:
187251 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12989063
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
EEk5
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BSS138 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Anbon Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
50 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
220mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.6V @ 250µA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
27 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
350mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
4530-BSS138TR
4530-BSS138CT
4530-BSS138DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IMT65R057M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IMT65R107M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
DMN3030LFG-13
DMN3030LFG-13
